
влевовправо
Транзистор IGBT 30N60A4D 600В 60А Б/У
- Готово к отправке
- Код: 5109
46 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 150 ₴
+380 (68) 367-74-11
КиевстарЗвонить после 10:00
- +380 (50) 503-21-88Vodafone Звонить после 10.00
возврат товара в течение 30 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Транзистор IGBT 30N60A4D 600В 60А Б/У. Транзисторы заводские, хорошего качества, но не новые - выпаянные. На ножках заметные следы припоя, ножки обычно короткие.
Характеристики:
- Тип транзистора: IGBT + Diode
- Маркировка: 30N60A4D
- Тип управляющего канала: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 463
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
- Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
- Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
- Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
- Время нарастания типовое (tr), nS: 12
- Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 225
- Тип корпуса: TO247
Комплектация:
1 x Транзистор 30N60A4D 600В 60А Б/У
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | China |
| Страна производитель | Китай |
- Цена: 46 ₴



